SK Hynix předvádí na summitu OCP 2025 produktovou strategii NAND Flash nové generace
Dne 27. října 2025 SK Hynix oznámil, že na „Globálním summitu OCP 2025“ (dále jen „Summit“), který se konal v San Jose, Kalifornie, USA, od 13. do 16. října místního času předvedl svou novou generaci produktové strategie NAND flash.
Společnost uvedla: "S rychlým růstem trhu s AI inferencemi prudce roste poptávka po produktech NAND flash schopných rychle a efektivně zpracovávat obrovské objemy dat. Abychom to mohli vyřešit, založíme produktové portfolio ‚AIN (AI-NAND) Family" – sadu řešení optimalizovaných pro éru AI, aby komplexně vyhovovala různým potřebám zákazníků."
Během výkonného zasedání druhého dne summitu Kim Cheon-sung, viceprezident vývoje produktu Enterprise SSD (eSSD) ve společnosti SK hynix, představil portfolio AIN Family jako hlavní řečník.
Rodina AIN obsahuje flashová řešení NAND optimalizovaná pro výkon, šířku pásma a hustotu s cílem zrychlit rychlost zpracování dat a zároveň maximalizovat kapacitu úložiště.
AIN P (Performance) je vysoce účinné řešení navržené pro masivní vstup/výstup dat v rozsáhlých prostředích AI.Minimalizací úzkých míst mezi výpočtem AI a úložištěm výrazně zvyšuje rychlost zpracování a energetickou účinnost.Aby toho společnost dosáhla, přepracovává NAND flash a řadiče s novou architekturou a plánuje vydat vzorky do konce roku 2026.
Naopak AIN D (Density) je vysokokapacitní řešení navržené pro masivní ukládání dat při nízké spotřebě energie a nákladů, zvláště vhodné pro ukládání dat AI.Ve srovnání se stávajícími SSD třídy TB založenými na QLC* může AIN D škálovat úložnou kapacitu až na úroveň PB a zároveň vyvažovat vysokorychlostní výkon SSD s nákladovou efektivitou HDD, čímž se řadí mezi vrstvené úložiště.
A konečně, AIN B (Bandwidth) je řešení, které rozšiřuje šířku pásma vrstvením NAND flash paměti.Tento produkt využívá vlastní technologii společnosti „HBF*“.